[16a-4C-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-4C-7] GaN基板上縦型p-n接合ダイオードにおけるメササイズの検討

〇金澤 翔¹、太田 博¹、金田 直樹²、堀切 文正³、成田 好伸³、吉田 丈洋³、三島 友義¹、中村 徹¹ (1.法政大、2.クオンタムスプレッド、3.サイオクス)

キーワード：ダイオード、メサ、GaN

自立GaN基板上メサ構造縦型p-n接合ダイオードの高性能化の基礎検討として電流の横方向拡がりなどの知見を得るため、p型電極端からメサ端までの距離に対するオン抵抗の変化を評価したので報告する。