2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-4C-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2015年9月16日(水) 09:00 〜 12:00 4C (432)

座長:東脇 正高(NICT)

11:15 〜 11:30

[16a-4C-9] ホモエピタキシャル成長低濃度Mgドープp型GaNのホール効果測定

〇堀田 昌宏1、高島 信也2、田中 亮2、上野 勝典2、江戸 雅晴2、須田 淳1 (1.京大院工、2.富士電機)

キーワード:窒化ガリウム、ホール効果、低濃度p型