[16a-4E-9~12] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

△ [16a-4E-9] 12.5 nm HPレジスト評価用EUV二光束干渉露光系の透過型回折格子の製作

〇(M1)福田 裕貴¹、福井 翼¹、谷野 寛仁¹、原田 哲男¹、渡邊 健夫¹ (1.兵県大)

キーワード：半導体、EUV

極端紫外線リソグラフィ（EUVL）は 2017年以降に16 nmの半導体量産技術に用いられる。我々はこれまでにEUV干渉露光法により、15 nmライン・アンド・スペース（L/S）パタン形成を実現した。さらに、EUV干渉露光法により12.5 nmのレジストパタン形成を実現するために、25 nm L/Sの吸収体パタンを有する透過型回折格子の開発を進めたので報告する。電子線描画に有機系ポジ型レジストであるgl3002Tを用いて透過型回折格子の製作を進めた。