[16a-PA2-1~60] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[16a-PA2-25] Growth of layered group-13 chalcogenide single-crystals and its FET application

〇(M1)Toru Tamura¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:indium selenide,field-effect transistor,layered chalcogenide

本研究では層状InSeの単結晶成長、構造・物性評価、及び電界効果トランジスタ（FET）への応用を試みた。構造評価ではX線回折、ラマン分光の測定データが既報告と一致し、得られた単結晶がInSeであることが確認された。また、FETはn型動作を示し、飽和移動度は3.5 cm²/Vs、on/off比は2.4×10²であった。層状MoS₂ FETには性能が及ばないものの、InSeもFET動作をすることが確認された。