[16a-PA2-1~60] 17 ナノカーボン（ポスター）

[16a-PA2-27] WS₂合成における基板面方位依存性

〇林 賢二郎¹、實宝 秀幸¹、大淵 真理¹、岩井 大介¹、佐藤 信太郎¹ (1.富士通研)

キーワード：WS2、遷移金属ダイカルコゲナイド、二硫化タングステン

サファイア(0001)面上において、成長したMoS₂島の結晶が一部の方位に優先的に配向することが知られている。しかし、それ以外の異なる指数面上における成長は調べられていない。本研究では、サファイア基板を用いてWS₂の成長方位と結晶性、それらに及ぼす各基板面方位の影響について調べた。