[16a-PA2-1~60] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[16a-PA2-29] Temperature dependent performance of layered chalcogenide FETs

〇(M1)Nobuya Kawai¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:FET,Transition Metal Dichalcogenide

バンドギャップを持ち，層間剥離が容易で，表面が不活性かつ平坦な層状物質二硫化タングステンを半導体層としたFETを作製し，温度を変化（10-300 K）しながら特性測定を行った。金電極によって作製したFETはn型動作を示し，飽和移動度は15 cm²/Vs，on/off比は1×10²であった。低温時の出力特性は，室温時に比べて低いドレイン電圧の時はドレイン電流が小さく，高いドレイン電圧の時は逆にドレイン電流が大きくなった。