[16a-PA2-1~60] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[16a-PA2-32] Noise Spectroscopy for the Carbon nanowall field effect transistors using low-temperature buffer layers

〇Toshio Kawahara¹, Toshimasa Kawagiwa¹, Yuki Nakagawa¹, Yasuhide Ohno², Kenzo Maehashi³, Kazuhiko Matsumoto⁴, Kazumasa Okamoto⁵, Risa Utsunomiya⁶, Teruaki Matsuba⁶, Masamichi Yoshimura⁷, Yuki Matsuoka⁷ (1.Chubu Univ., 2.Tokushima Univ., 3.TUAT, 4.Osaka Univ., 5.Hokkaido Univ., 6.Nisshin Electric, 7.Toyota Tech. Inst.)

Keywords:nano-carbon,field effect transistors,LT buffer layer

カーボンナノチューブやグラフェンを始めとするナノカーボン材料は、その構造的・電気的に特異な特性を活かしてナノデバイスへの応用が期待されている。デバイス応用では、電界効果素子(FET) を用いて高感度センサーやノイズ増強型非線形素子等への応用が進められてきた。カーボンナノウォール(CNW)はグラフェンを重ねた構造をもつナノカーボン材料であるが、触媒なしに成長できる利点を活かしたデバイスプロセスの開発が望まれていた。そこで、我々はグラフォエピタキシープロセスを拡張して自己配列化CNWを成長させることでFET構造を作製し、CNWの電子デバイス応用を目指している。本発表では、ノイズ解析を用いて低温(LT)バッファー層等のCNWの成長条件を検討した結果について述べる。