2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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[16a-PA2-1~60] 17 ナノカーボン(ポスター)

2015年9月16日(水) 09:30 〜 11:30 PA2 (イベントホール)

09:30 〜 11:30

[16a-PA2-6] キュプロニッケル基板を用いた熱CVD法によるグラフェンの合成

〇(M2)岩間 一樹1、岸 直希1、曽我 哲夫1 (1.名古屋工業大工)

キーワード:グラフェン、熱CVD法

グラフェンとは、原子1層厚さのグラファイトのことであり次世代のエレクトロニクス技術への応用が期待される新材料である。熱CVD法ではグラフェンの層数や品質はその基板金属に左右され、現在銅かニッケルを用いるのが主流であるが、その合金キュプロニッケルを基板に用いた研究はあまりされていない。そこで本研究では、銅とニッケルの合金であるキュプロニッケルを用い、新しい基板でのグラフェン合成法確立を目指す。