[16p-1D-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-1D-12] 無極性m面AlGaN/GaN量子井戸サブバンド間吸収の線幅解析

〇小谷 晃央^1,2,3、有田 宗貴¹、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子、2.東大生研、3.シャープ)

キーワード：窒化物、無極性、量子井戸

無極性m面Al_0.49Ga_0.51N（3.2nm）/ GaN(2.9nm) QWのISB吸収ピークはドーピング濃度の増加とともにブルーシフトし、線幅が増大することが実験的に確かめられた。ピークのブルーシフトは多体効果により定量的に説明できることを前回報告した。今回、多体効果に加え、散乱の影響（フォノン3種類、界面ラフネス、不純物、合金）を取り入れて吸収スペクトルを計算した結果、線幅の増大も定量的に説明することができるようになった。