[16p-1D-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-1D-2] 偏光PLE分光法による無極性InGaN薄膜の偏光特性の測定

〇(M2)前田 亮平¹、坂井 繁太¹、山口 敦史¹、栗原 香²、長尾 哲² (1.金沢工大、2.三菱化学)

キーワード：偏光、価電子帯、窒化インジウムガリウム

非極性InGaN量子井戸の偏光特性は、価電子帯の2つのバンドのエネルギー差(ΔE)を用いて定量的に表すことができる。これまでに我々は、正確なΔEの見積もりには偏光PL測定ではなく偏光PLE測定が必須であることを報告している。本研究では、In組成の異なる複数のm面上InGaN量子井戸試料に対して偏光PL/PLE測定を行い、ΔEのIn組成比依存性を調べた。その結果、二つの測定から得られたΔEのIn組成非依存性は明らかに異なる傾向を示すことが判明した。