[16p-1D-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [16p-1D-3] Possible Origin of Double-Peak Emission in m-plane InGaN Quantum Wells

〇Shigeta Sakai¹, Atsushi Yamaguchi¹, Kaori Kurihara², Satoru Nagao² (1.Kanazawa Inst. of Tech., 2.Mitsubishi Chemical Corp.)

Keywords:laser diode,InGaN-quantum well,nonpolar

無極性InGaN量子井戸ではピエゾ電界による発光効率の低減を抑制できる。しかし、紫から青色での発光領域において発光スペクトルがダブルピーク化し、これに伴い発光強度が低下する問題が報告されている。本研究では、この問題の物理的起源の解明を目的に、新たに理論モデルを構築した。そして、状態密度の裾の減衰度合いによりダブルピーク発光の発現メカニズムが説明できることを明らかにした。