[16p-1D-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [16p-1D-3] m面InGaN量子井戸におけるダブルピーク発光の起源

〇坂井 繁太¹、山口 敦史¹、栗原 香²、長尾 哲² (1.金沢工大、2.三菱化学)

キーワード：半導体レーザ、InGaN量子井戸、無極性面

無極性InGaN量子井戸ではピエゾ電界による発光効率の低減を抑制できる。しかし、紫から青色での発光領域において発光スペクトルがダブルピーク化し、これに伴い発光強度が低下する問題が報告されている。本研究では、この問題の物理的起源の解明を目的に、新たに理論モデルを構築した。そして、状態密度の裾の減衰度合いによりダブルピーク発光の発現メカニズムが説明できることを明らかにした。