The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[16p-2B-1~9] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

Wed. Sep 16, 2015 1:45 PM - 4:00 PM 2B (211-2)

座長:小泉 淳(阪大)

3:30 PM - 3:45 PM

[16p-2B-8] Two Wavelength Excited Photoluminescence in Ba3Si6O12N2:Eu2+Phosphor-Dependence on BGE Power Density-

〇Yosuke Kotsuka1, Tingting Li1, Takeshi Fukuda1, Zentaro Honda1, Norihiko Kamata1, Tomoyuki Kurushima2 (1.Saitama Univ., 2.Mitsubishi Chemical)

Keywords:phosphor,photoluminescence

Ba3Si6O12N2:Eu2+蛍光体は青色LED励起が可能で高効率なため、照明用の蛍光体として有望である。さらなる高効率・高信頼化のため、試料内に潜む非発光再結合(NRR)準位を非接触で検出できる二波長励起フォトルミネッセンス法により測定を行った。バンドギャップよりも高エネルギーの励起光に加えて低エネルギーの励起光を照射するとPL強度は増加した。それらは二成分に分離でき、それぞれNRR準位、トラップ準位の影響が支配的であることが明らかとなった。