2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-2D-1~14] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2015年9月16日(水) 13:15 〜 17:00 2D (212-2)

座長:嵯峨 幸一郎(ソニー),森 伸也(阪大)

15:45 〜 16:00

△ [16p-2D-10] GeO2酸化膜を考慮したGeナノワイヤ構造の熱伝導率およびフォノン分散関係の分子動力学的解析

〇小出 隆太1、志村 昴亮1、橋本 修一郎1、富田 基裕1,2,3、渡邉 孝信1 (1.早大理工、2.明大理工、3.学新特別研究員PD)

キーワード：ナノワイヤ、ゲルマニウム、熱伝導率