[16p-2D-1~14] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [16p-2D-12] Geナノワイヤの高電界正孔輸送における負性微分抵抗特性の発現

〇田中 一¹、須田 淳¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：ゲルマニウム、ナノワイヤ、高電界

原子論的なモデルに基づき，ボルツマン輸送方程式を解くことで，Geナノワイヤにおける高電界下での正孔輸送特性を解析した．その結果，ナノワイヤの方位によっては負性微分抵抗特性が現れることを見出した．これは，Geナノワイヤの価電子帯にある有効質量の軽いサブバンドを占有していた正孔が，電界の増加とともに重いサブバンドへ移行することに由来する．