[16p-2D-1~14] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[16p-2D-14] Examination of Boundary Condition Exchange Method for Domain Division Analysis of Large Scale Semiconductor Devices

〇Kazuya Matsuzawa¹, Masatoshi Abe¹, Yoshinori Oda¹, Jun Komachi¹, Hiroyuki Ito¹, Shohiro Sho², Shinji Odanaka², Hiroo Koshimoto³, Tsutomu Ikegami³, Koichi Fukuda³ (1.STARC, 2.Osaka Univ., 3.AIST)

Keywords:semiconductor,TCAD,simulation

TCADの応用範囲を広げるため、大規模構造の計算技術を検討している。計算時間とメモリの問題を解消するために、１コアで計算できるサイズに構造を分割する。その際、分割面の境界条件が、収束性に大きく影響する。本研究では、分割面で境界条件を交換する方法を検討した結果を示す。