15:30 〜 15:45
△ [16p-2D-9] SiC/SiO2界面モデリングのためのダイナミックボンドオーダー・ポテンシャルの開発
キーワード：SiC、絶縁膜、分子動力学計算
講演情報
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
[16p-2D-1~14] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2015年9月16日(水) 13:15 〜 17:00 2D (212-2)
座長:嵯峨 幸一郎(ソニー),森 伸也(阪大)