[16p-2E-1~9] 3.13 半導体光デバイス

[16p-2E-6] GaP歪補償を用いたInAs/GaAs量子ドットレーザの高速変調特性における障壁層薄膜化効果

〇影山 健生¹、渡邉 克之²、フイ ヴォ クオック²、武政 敬三³、菅原 充³、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研、3.QDレーザ)

キーワード：量子ドット、半導体レーザ、歪補償