[16p-2E-1~9] 3.13 半導体光デバイス

[16p-2E-8] 分割電極を用いた広帯域多波長InAs量子ドットSLDの光学利得測定

〇尾崎 信彦^1,2、Childs David¹、保田 拓磨²、大里 啓孝³、渡辺 英一郎³、池田 直樹³、杉本 喜正³、Hogg Richard¹ (1.シェフィールド大、2.和歌山大シス工、3.物材機構)

キーワード：InAs量子ドット、広帯域SLD光源