[16p-2E-1~9] 3.13 半導体光デバイス

[16p-2E-9] Tバンドにおける半導体光アンプ集積・量子ドット光変調デバイス

〇江森 俊文^1,2、山本 直克¹、赤羽 浩一¹、梅沢 俊匡¹、松本 敦¹、川西 哲也^1,3、渡辺 克樹^1,2、高井 裕司² (1.情報通研、2.電機大、3.早稲田大)

キーワード：光変調器、半導体光アンプ

新しい光変調帯域として、Tバンド(1000~1260nm)とOバンド(1260~1360nm)に注目している。そこでInGaAs/GaAs系半導体量子ドットを活性層とした、光ゲイン変化を用いた量子ドット光変調デバイス（QD-OGM）と波長1.0μm帯半導体量子ドット光変調器（QD-SOA）が一体に集積された小型なQD-OGM/SOAデバイスを開発した。