[16p-2G-1~11] 3.12 Nanoscale optical science and near-field optics

[16p-2G-9] The introduction of the epitaxial growth to improve the performance of GaP LED fabricated by dressed-photon-phonon assisted annealing

〇(DC)JunHyoung Kim¹, Hassanet Sodabanlu¹, Tadashi Kawazoe¹, Masakazu Sugiyama¹, Motoichi Ohtsu¹ (1.Univ. of Tokyo)

Keywords:dressed photon,gallium phosphide,epitaxial growth

GaP pn接合にドレスト光子フォノン援用アニールを施すことで、バンドギャップより高いエネルギー領域の発光が著しく増大した発光素子を実現できる。しかしCZ法で成長されたGaP基板には多くの不純物が存在するので、それらが発光のみならず実験そのものにも大きなノイズを与える。よってそれらの困難を克服するためにエピ基板を導入することにした。本発表ではエピ基板導入による成果を紹介する。