[16p-2G-1~11] 3.12 ナノ領域光科学･近接場光学

[16p-2G-9] ドレスト光子フォノン援用アニールで作製されたGaP LED性能向上のためのエピ基板導入

〇(DC)金 俊亨¹、ソダーバンル ハッサネット¹、川添 忠¹、杉山 正和¹、大津 元一¹ (1.東大院工)

キーワード：ドレスト光子、燐化ガリウム、エピ成長

GaP pn接合にドレスト光子フォノン援用アニールを施すことで、バンドギャップより高いエネルギー領域の発光が著しく増大した発光素子を実現できる。しかしCZ法で成長されたGaP基板には多くの不純物が存在するので、それらが発光のみならず実験そのものにも大きなノイズを与える。よってそれらの困難を克服するためにエピ基板を導入することにした。本発表ではエピ基板導入による成果を紹介する。