The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.3 deposition of thin film and surface treatment

[16p-2Q-1~13] 8.3 deposition of thin film and surface treatment

Wed. Sep 16, 2015 1:45 PM - 5:00 PM 2Q (231-1)

座長:荻野 明久(静岡大)

3:30 PM - 3:45 PM

[16p-2Q-8] Effects of H2 dilution on Incorporation Amount of Clusters in A-Si:H Films Deposited by Multi-Hollow Discharge Plasma CVD

〇Susumu Toko1, Yoshihiro Torigoe1, Kimitaka Keya1, Hyunwoong Seo1, Naho Itagaki1, Kazunori Koga1, Masaharu Shiratani1 (1.Kyushu University)

Keywords:CVD,solar cell,hydrogen dilution

高効率水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)太陽電池の作製のための最重要課題は、光劣化の抑制である。近年筆者らは光劣化の原因であるナノ粒子(クラスター)の膜中への混入を抑制するマルチホロー放電プラズマCVD法を開発した。本研究では、マルチホロー放電プラズマCVD装置で水素希釈が膜中クラスター混入量に及ぼす影響について調べた。