[16p-3A-1~11] 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

△ [16p-3A-1] GaAs/AlGaAs/AlAsタイプIIトンネル双量子井戸のスピン緩和

〇有竹 貴紀¹、Wu Hao¹、ショウ サンウ¹、中村 芳樹¹、武藤 俊一²、竹内 淳¹ (1.早大先進理工、2.北大院工)

キーワード：トンネル双量子井戸、タイプII、スピン緩和

本研究では時間分解ポンププローブ反射計測によりＡｌＧａＡｓ障壁層幅１．１，２．３，３．４，４．０ ｎｍの４種類のＧａＡｓ/ＡｌＧａＡｓ/ＡｌＡｓタイプＩＩトンネル双量子井戸のスピン緩和を調べた。その結果、トンネル時間が短いほどスピン緩和は速くなった。ＧａＡｓ井戸の基底準位からＡｌＡｓ層のＸ点へのトンネルでスピン緩和が促進されている可能性がある。