[16p-3A-1~11] 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

△ [16p-3A-9] Beドープの異なるGaAsバルクのスピン緩和時間の比較

〇ショウ サンウ¹、Wu Hao¹、有竹 貴紀¹、中村 芳樹¹、Dai Pan²、Lu Shulong²、竹内 淳¹ (1.早大先進理工、2.SINANO-CAS)

キーワード：半導体、スピン

円偏光時間分解フォトルミネッセンス測定によりＢｅドープ濃度の異なる２種類のＧａＡｓバルクのスピン緩和時間を１０－７７Ｋで調べた。その結果、１０－７７Ｋで両サンプルともに、Ｂｉｒ－Ａｒｏｎｏｖ－Ｐｉｋｕｓ効果が寄与していることが明らかになった。５０－７７ＫではＢｅ濃度の高い方が短いスピン緩和時間を得たため、不純物散乱によりスピンが反転するＥｌｌｉｏｔ－Ｙａｆｅｔ効果が働いていると考えられる。