[16p-4C-1~9] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [16p-4C-2] Thinning of SiC Wafer by sub-atmospheric pressure plasma etching with SF₆

〇(M1)koki tajiri¹, yuki inoue¹, yasuhisa sano¹, satoshi matsuyama¹, kazuto yamauchi¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:semiconductor,SiC,plasma etching

SiCデバイス製造工程においてサブ大気圧プラズマを用いたプラズマエッチング加工を検討している。加工速度の向上と加工中のウエハ割れの解消を目的として2インチ全面電極を開発し、加工形状および加工前後のウエハ反りを評価した。また、加工速度の向上を目指し、高濃度SF₆ガスを用いた加工における加工速度の評価を行った。圧力を下げることで、SF₆濃度100%の条件での加工において、2インチSiCウエハ全面薄化加工速度5.8 μm/minを達成した。