[16p-4C-1~9] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16p-4C-3] 第一原理計算によるSiC熱酸化中における炭素原子消失メカニズム

〇松下 雄一郎¹、押山 淳¹ (1.東大院工)

キーワード：炭化ケイ素、酸化、第一原理計算

近年注目を集めます炭化ケイ素 (SiC) は、熱酸化を用いてSiO₂絶縁膜を作成することが出来るという利点がある。しかし、現在のSiC-MOSFETの易動度はバルク時の10% 程度でしかなく、界面に高密度欠陥準位が存在すると考えられている。本研究では、4H-SiCのSi-, C-両面の初期酸化過程を明らかにすべく、密度汎関数理論に基づく第一原理シミュレーションを実行し、最も現実的だと思われる反応経路とそれに対応する活性化障壁、欠陥準位を特定した。