2:30 PM - 2:45 PM
△ [16p-4C-5] Homoepitaxial Growth of Si-Doped Thick (001) β-Ga2O3 Layers by HVPE
Keywords:Gallium Oxide,Halide vapor phase epitaxy
酸化ガリウムを用いた高耐圧・低損失な次世代パワーデバイス実現に向けて、ハライド気相成長法によるSiドープn形酸化ガリウム(001)厚膜のホモエピタキシャル成長を行った。Ga原料であるGaClとSi源であるSiCl4の供給比をコントロールすることにより、キャリア密度を1015 cm-3台から1018 cm-3台までリニアに制御できることが明らかとなった。