[16p-4C-1~9] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16p-4C-5] ハライド気相成長法によるSiドープn形β-Ga₂O₃(001)厚膜のホモエピタキシャル成長

〇野村 一城¹、後藤 健^1,2、佐々木 公平^2,3、ティユ クァン　トゥ^1,4、富樫 理恵¹、村上 尚¹、熊谷 義直¹、東脇 正高³、倉又 朗人²、山腰 茂伸²、Monemar Bo^4,5、纐纈 明伯¹ (1.東京農工大院工、2.タムラ製作所、3.情通機構、4.東京農工大GIRO、5.リンチョーピン大)

キーワード：酸化ガリウム、ハライド気相成長

酸化ガリウムを用いた高耐圧・低損失な次世代パワーデバイス実現に向けて、ハライド気相成長法によるSiドープn形酸化ガリウム(001)厚膜のホモエピタキシャル成長を行った。Ga原料であるGaClとSi源であるSiCl₄の供給比をコントロールすることにより、キャリア密度を10¹⁵ cm^-3台から10¹⁸ cm^-3台までリニアに制御できることが明らかとなった。