[16p-4C-1~9] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16p-4C-6] HVPE成長したドリフト層を有するGa₂O₃ショットキーバリアダイオード

〇東脇 正高¹、佐々木 公平^2,1、小西 敬太¹、後藤 健²、野村 一城³、Quang Tu Thieu⁴、富樫 理恵³、村上 尚³、熊谷 義直³、Bo Monemar^4,5、纐纈 明伯³、倉又 朗人²、山腰 茂伸² (1.情通機構、2.タムラ製作所、3.東京農工大院工、4.東京農工大GIRO、5.Linköping Univ.)

キーワード：酸化ガリウム、ショットキーバリアダイオード、ハライド気相成長法

ハライド気相成長法により、単結晶n⁺-Ga₂O₃ (001) 基板上にSiドープn^--Ga₂O₃ドリフト層を成膜したエピ基板を用いて、縦型ショットキーバリアダイオード構造を試作し、その室温デバイス特性を評価した。作製したデバイスは、特性オン抵抗 3.0 mΩ·cm²、理想係数n値 1.01~1.03、オフ耐圧 約-500 Vなどの優れた特性を示した。