一般セッション(口頭講演)

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[11a-C2-1~13] 16.3 シリコン系太陽電池

2015年3月11日(水) 09:00 〜 12:30 C2 (6C-207)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[11a-C2-1] 変調表面テクスチャにおける光閉じ込め効果の理論的検討

〇太野垣健¹、岸本裕子¹、星裕介²、宇佐美徳隆² (1.京大化研, 2.名大工)

09:15 〜 09:30

[11a-C2-2] コロイダルリソグラフィを利用したテクスチャSi基板表面へのナノ構造形成とその太陽電池特性

〇星裕介¹、平井悠司²、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工, 2.千歳科技大)

09:30 〜 09:45

[11a-C2-3] 液体ガラスを用いた反射防止膜の形成

〇村上功一¹、三浦修平¹、鈴木一鋭¹、野田真一¹、井上将成¹、野々村修一¹ (1.岐大院工)

09:45 〜 10:00

[11a-C2-4] 球状シリカ粒子および液体ガラスを用いた凹凸構造付き透明導電膜基板

〇野田真一¹、三浦修平¹、鈴木一鋭¹、井上将成¹、村上功一¹、野々村修一¹ (1.岐大院工)

10:00 〜 10:15

[11a-C2-5] 液体Siを用いて製膜したa-Siパッシベーション膜の耐熱性

〇(M1C)過程¹、大平圭介¹、高岸秀行²、下田達也¹ (1.北陸先端大, 2.福島大)

10:15 〜 10:30

△ [11a-C2-6] 反応支援型ミストCVD法により低温成長した酸化アルミニウム(AlO_x)薄膜のパッシベーション応用特性

〇内田貴之¹、川原村敏幸²、藤田静雄¹、平松孝浩³、織田容征³ (1.京大院工, 2.高知工大総研, 3.東芝三菱電機産業システム)

10:30 〜 10:45

[11a-C2-7] 新規アルミニウム源による酸化アルミニウム膜の形成と太陽電池応用

〇高橋清¹、轟宗一郎²、宮島晋介² (1.日本アルキルアルミ, 2.東工大院理工)

10:45 〜 11:00

[11a-C2-8] a-Si:H/c-Siヘテロ界面におけるボイド構造－陽電子消滅データに基づく光学的評価法の適用－

〇松木伸行¹、上殿明良²、ブライアンオローク³、大島永康³ (1.岐阜大, 2.筑波大, 3.産総研)

休憩 (11:00 〜 11:15)

11:15 〜 11:30

[11a-C2-9] Cat-doping法によるa-Si膜への低温ドーピング

〇瀬戸純一¹ (1.北陸先端大)

11:30 〜 11:45

[11a-C2-10] 低界面再結合速度を実現するCat-CVD SiN_x/a-Si積層保護膜の光学特性

〇小山晃一¹、寺嶋茂樹¹、大平圭介¹、松村英樹¹ (1.北陸先端大)

11:45 〜 12:00

[11a-C2-11] 低表面再結合速度を実現したCat-CVD SiNx/a-Si積層膜の化学耐性

〇寺嶋茂樹¹、小山晃一¹、大平圭介¹、松村英樹¹ (1.北陸先端大)

12:00 〜 12:15

▲ [11a-C2-12] Defect termination at the interfaces of Cat-CVD SiN_x/c-Si and SiN_x/P Cat-doped layer/c-Si structures

〇(D)Cham Trinh^1,², Koichi Koyama^1,², Keisuke Ohdaira^1,², Hideki Matsumura^1,² (1.JAIST, 2.JST CREST)

12:15 〜 12:30

[11a-C2-13] Improvement in the passivation quality of Cat-CVD a-Si/c-Si hetero-junction interface for Si(111) and Si(100) by the formation of ultra-thin oxide layers

〇(M2)Takafumi Oikawa¹, Keisuke Ohdaira^1,², Koichi Higashimine^1,², Hideki Matsumura^1,² (1.JAIST, 2.JST CREST)

セッション情報

[11a-C2-1~13] 16.3 シリコン系太陽電池

[11a-C2-1] 変調表面テクスチャにおける光閉じ込め効果の理論的検討

[11a-C2-2] コロイダルリソグラフィを利用したテクスチャSi基板表面へのナノ構造形成とその太陽電池特性

[11a-C2-3] 液体ガラスを用いた反射防止膜の形成

[11a-C2-4] 球状シリカ粒子および液体ガラスを用いた凹凸構造付き透明導電膜基板

[11a-C2-5] 液体Siを用いて製膜したa-Siパッシベーション膜の耐熱性

△ [11a-C2-6] 反応支援型ミストCVD法により低温成長した酸化アルミニウム(AlO_x)薄膜のパッシベーション応用特性

[11a-C2-7] 新規アルミニウム源による酸化アルミニウム膜の形成と太陽電池応用

[11a-C2-8] a-Si:H/c-Siヘテロ界面におけるボイド構造－陽電子消滅データに基づく光学的評価法の適用－

[11a-C2-9] Cat-doping法によるa-Si膜への低温ドーピング

[11a-C2-10] 低界面再結合速度を実現するCat-CVD SiN_x/a-Si積層保護膜の光学特性

[11a-C2-11] 低表面再結合速度を実現したCat-CVD SiNx/a-Si積層膜の化学耐性

▲ [11a-C2-12] Defect termination at the interfaces of Cat-CVD SiN_x/c-Si and SiN_x/P Cat-doped layer/c-Si structures

[11a-C2-13] Improvement in the passivation quality of Cat-CVD a-Si/c-Si hetero-junction interface for Si(111) and Si(100) by the formation of ultra-thin oxide layers

認証

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[11a-C2-1~13] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [11a-C2-6] 反応支援型ミストCVD法により低温成長した酸化アルミニウム(AlOx)薄膜のパッシベーション応用特性

▲ [11a-C2-12] Defect termination at the interfaces of Cat-CVD SiNx/c-Si and SiNx/P Cat-doped layer/c-Si structures

認証

△ [11a-C2-6] 反応支援型ミストCVD法により低温成長した酸化アルミニウム(AlO_x)薄膜のパッシベーション応用特性

▲ [11a-C2-12] Defect termination at the interfaces of Cat-CVD SiN_x/c-Si and SiN_x/P Cat-doped layer/c-Si structures