一般セッション(口頭講演)

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[12a-A28-1~12] 16.1 基礎物性・評価

2015年3月12日(木) 09:15 〜 12:30 A28 (6A-203)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:15 〜 09:30

[12a-A28-1] Ag微粒子を配置したGeTeにおける抵抗スイッチ現象

〇今西佑典¹、木田士文¹、宮邉徹¹、中岡俊裕¹ (1.上智大理工)

09:30 〜 09:45

[12a-A28-2] 硫化銅薄膜のギャップ内準位評価

〇後藤民浩¹ (1.群馬大院理工)

09:45 〜 10:00

[12a-A28-3] 硫黄ガス熱処理によるSnS薄膜の特性変化

〇矢澤広祐¹ (1.群大理工)

10:00 〜 10:15

△ [12a-A28-4] 減衰全反射型遠紫外分光装置による金属酸化物半導体粉末の測定

〇田邉一郎¹、尾崎幸洋¹ (1.関西学院大理工)

10:15 〜 10:30

[12a-A28-5] 非晶質InGaZnO₄とInSnZnO₄のバンド吸収端酸素化及び水素化特性評価

〇(M1)張帥澤¹、大野祐樹¹、清水耕作¹ (1.日大生産工)

10:30 〜 10:45

[12a-A28-6] 反射CPM法を用いた非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタの特性不安定性解析

〇竹山裕貴¹、大野祐樹¹、清水耕作¹ (1.日大)

休憩 (10:45 〜 11:00)

11:00 〜 11:15

[12a-A28-7] 原子状水素供給スパッタ法による非晶質シリコン膜の作製と変調アドミタンス法によるp-i/i-n界面の評価

〇大江和顕¹、岩崎真宝¹、清水耕作¹ (1.日本大生産)

11:15 〜 11:30

[12a-A28-8] Si及びSiO₂上に製膜した非晶質Ge膜の固相結晶成長に関する検討

〇黒岩杏太¹、磯村雅夫¹ (1.東海大院工)

11:30 〜 11:45

[12a-A28-9] テルライト系ガラスを用いた超高速一括波長変換の研究ー紫外光ポーリング条件の最適化ー

〇山寺雄太¹、平野拓也¹、三田地成幸¹ (1.東京工科大)

11:45 〜 12:00

[12a-A28-10] レーザー照射によるガラス表面へのBiFeO₃形成

〇熊谷彰恵¹、高橋哲平¹、高橋儀宏¹、寺門信明¹、藤原巧¹ (1.東北大院工)

12:00 〜 12:15

[12a-A28-11] TiO₂結晶化ガラスにおける光触媒活性の組成及び熱処理温度依存性

〇高橋寛¹、吉田和貴¹、正井博和²、高橋儀宏¹、寺門信明¹、藤原巧¹ (1.東北大院工, 2.京大化研)

12:15 〜 12:30

[12a-A28-12] 結晶化ガラスに対する欠陥導入と光触媒活性への影響

〇吉田和貴¹、正井博和²、寺門信明¹、高橋儀宏¹、藤原巧¹、加藤英樹³、垣花眞人³ (1.東北大院工, 2.京大化研, 3.東北大多元研)

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