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[12a-C1-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

2015年3月12日(木) 09:00 〜 11:45 C1 (6C-104)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

△ [12a-C1-1] ダイヤモンド上SiO₂ゲート絶縁膜の形成と評価

〇(B)原壮志¹、袴田知宏¹、小野和子¹、瀬下裕志¹、林佑哉¹、平岩篤¹、川原田洋¹ (1.早大理工)

09:15 〜 09:30

△ [12a-C1-2] 耐圧1600Vを超える高温ALD-Al₂O₃絶縁膜を用いた水素終端ダイヤモンドMOSFET

〇(B)北林祐哉¹、山田哲也¹、許德琛¹、坪井秀俊¹、斎藤俊輝¹、齊藤達也¹、松村大輔¹、平岩篤¹、川原田洋¹ (1.早大理工)

09:30 〜 09:45

△ [12a-C1-3] 原子層堆積Al₂O₃-MOSキャパシタの高温電気的絶縁性に対するゲート電極材質の影響

〇松村大輔¹、齊藤達也¹、平岩篤¹、川原田洋¹ (1.早大理工)

09:45 〜 10:00

△ [12a-C1-4] トレンチチャネルを有する C-H ダイヤモンド MOSFET

〇斎藤俊輝¹、小林幹典¹、山田哲也¹、許德琛¹、北林祐哉¹、松村大輔¹、坪井秀俊¹、稲葉優文¹、平岩篤¹、川原田洋¹ (1.早大)

10:00 〜 10:15

△ [12a-C1-5] (001)ダイヤモンド上MBE薄膜AlNのIn-Plane X線回折法による評価

〇(B)林佑哉¹、小野和子¹、袴田知宏¹、平岩篤¹、川原田洋¹ (1.早大理工)

休憩 (10:15 〜 10:30)

10:30 〜 10:45

△ [12a-C1-6] (111)基板上の{1-10}面を接合面としたダイヤモンド横型p-n接合の作製

〇佐藤一樹¹、岩崎孝之^1,^2,³、清水麻希^1,³、加藤宙光^3,⁴、牧野俊晴^3,⁴、小倉政彦^3,⁴、竹内大輔^3,⁴、山崎聡^3,⁴、波多野睦子^1,^2,³ (1.東工大, 2.ALCA, 3.CREST, 4.産総研)

10:45 〜 11:00

△ [12a-C1-7] ダイヤモンド横型p-n接合についてケルビンプローブフォース顕微鏡による表面電位評価と内部構造との相関

〇白田和也^1,²、竹内大輔²、牧野俊晴²、加藤宙光²、小倉政彦²、山崎聡^1,² (1.筑波大学数理, 2.産総研)

11:00 〜 11:15

[12a-C1-8] ダイヤモンドJFETのノーマリーオフ動作

〇諏訪泰介¹、岩崎孝之^1,^2,³、佐藤一樹¹、加藤宙光^3,⁴、牧野俊晴^3,⁴、小倉政彦^3,⁴、竹内大輔^3,⁴、山崎聡^3,⁴、波多野睦子^1,^2,³ (1.東工大, 2.ALCA, 3.CREST, 4.産総研)

11:15 〜 11:30

[12a-C1-9] ホッピング伝導層を用いたダイヤモンドp⁺-i-n⁺接合の電気特性

〇牧野俊晴^1,²、桑原大輔^1,^2,³、加藤宙光^1,²、竹内大輔^1,²、小倉政彦^1,²、大串秀世^1,²、山崎聡^1,^2,³ (1.産総研エネ部門, 2.CREST/JST, 3.筑波大)

11:30 〜 11:45

△ [12a-C1-10] ダイヤモンドLEDにおける励起子発光の温度依存性

〇(D)桑原大輔^1,^2,³、牧野俊晴^2,³、加藤宙光^2,³、竹内大輔^2,³、小倉政彦^2,³、大串秀世^2,³、山崎聡^2,³ (1.筑波大, 2.産総研, 3.CREST/JST)

セッション情報

[12a-C1-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [12a-C1-1] ダイヤモンド上SiO₂ゲート絶縁膜の形成と評価

△ [12a-C1-2] 耐圧1600Vを超える高温ALD-Al₂O₃絶縁膜を用いた水素終端ダイヤモンドMOSFET

△ [12a-C1-3] 原子層堆積Al₂O₃-MOSキャパシタの高温電気的絶縁性に対するゲート電極材質の影響

△ [12a-C1-4] トレンチチャネルを有する C-H ダイヤモンド MOSFET

△ [12a-C1-5] (001)ダイヤモンド上MBE薄膜AlNのIn-Plane X線回折法による評価

△ [12a-C1-6] (111)基板上の{1-10}面を接合面としたダイヤモンド横型p-n接合の作製

△ [12a-C1-7] ダイヤモンド横型p-n接合についてケルビンプローブフォース顕微鏡による表面電位評価と内部構造との相関

[12a-C1-8] ダイヤモンドJFETのノーマリーオフ動作

[12a-C1-9] ホッピング伝導層を用いたダイヤモンドp⁺-i-n⁺接合の電気特性

△ [12a-C1-10] ダイヤモンドLEDにおける励起子発光の温度依存性

認証

セッション情報

[12a-C1-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [12a-C1-1] ダイヤモンド上SiO2ゲート絶縁膜の形成と評価

△ [12a-C1-2] 耐圧1600Vを超える高温ALD-Al2O3絶縁膜を用いた水素終端ダイヤモンドMOSFET

△ [12a-C1-3] 原子層堆積Al2O3-MOSキャパシタの高温電気的絶縁性に対するゲート電極材質の影響

△ [12a-C1-4] トレンチチャネルを有する C-H ダイヤモンド MOSFET

△ [12a-C1-5] (001)ダイヤモンド上MBE薄膜AlNのIn-Plane X線回折法による評価

△ [12a-C1-6] (111)基板上の{1-10}面を接合面としたダイヤモンド横型p-n接合の作製

△ [12a-C1-7] ダイヤモンド横型p-n接合についてケルビンプローブフォース顕微鏡による 表面電位評価と内部構造との相関

[12a-C1-8] ダイヤモンドJFETのノーマリーオフ動作

[12a-C1-9] ホッピング伝導層を用いたダイヤモンドp+-i-n+接合の電気特性

△ [12a-C1-10] ダイヤモンドLEDにおける励起子発光の温度依存性

認証

△ [12a-C1-1] ダイヤモンド上SiO₂ゲート絶縁膜の形成と評価

△ [12a-C1-2] 耐圧1600Vを超える高温ALD-Al₂O₃絶縁膜を用いた水素終端ダイヤモンドMOSFET

△ [12a-C1-3] 原子層堆積Al₂O₃-MOSキャパシタの高温電気的絶縁性に対するゲート電極材質の影響

△ [12a-C1-7] ダイヤモンド横型p-n接合についてケルビンプローブフォース顕微鏡による表面電位評価と内部構造との相関

[12a-C1-9] ホッピング伝導層を用いたダイヤモンドp⁺-i-n⁺接合の電気特性