一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[12p-A17-1~19] 3.13 半導体光デバイス

2015年3月12日(木) 14:00 〜 19:00 A17 (6A-207)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

14:00 〜 14:15

[12p-A17-1] [講演奨励賞受賞記念講演] ハーフリッジ型導波路構造を用いたInPモノリシック偏波変調器の試作と実証

〇川端祐斗¹、財津優¹、種村拓夫¹、中野義昭¹ (1.東大院工)

14:15 〜 14:30

△ [12p-A17-2] Optical interconnection between III-V chips on Si by using photonic wire bonding

〇(M2)ZhiChen Gu¹, Tomohiro Amemiya^2,³, Atsushi Ishikawa³, Yuki Atsumi⁴, JoonHyun Kang¹, Takuo Hiratani¹, Nobuhiko Nishiyama¹, Takuo Tanaka³, Shigehisa Arai^1,² (1.Tokyo Tech, 2.QNERC, 3.RIKEN, 4.AIST)

14:30 〜 14:45

[12p-A17-3] スポットサイズ変換器集積GaAs基板上量子ドットレーザ

〇植竹理人¹、高林和雅¹、木村徳治¹、山本剛之¹、山口正臣²、高田幹²、武政敬三²、菅原充²、荒川泰彦³ (1.富士通研, 2.QDレーザ, 3.東大ナノ量子機構)

14:45 〜 15:00

[12p-A17-4] 近赤外広帯域光源を目指したInAs 量子ドットLD の発光特性[2]

〇沢渡義規¹、吉沢勝美¹、赤羽浩一²、山本直克² (1.ﾊﾟｲｵﾆｱﾏｲｸﾛﾃｸﾉﾛｼﾞｰ㈱, 2.情通機構)

15:00 〜 15:15

[12p-A17-5] 1.1μm帯広帯域量子ドットリッジ導波路型LDの開発

〇吉沢勝美¹、沢渡義規¹、赤羽浩一²、山本直克² (1.パイオニアMTC, 2.情報通信研究機構)

15:15 〜 15:30

[12p-A17-6] p 変調ドープInAs/InP ダブルキャップ量子ドット構造の電流注入特性

〇(M1)鋤柄俊樹¹、山元雄太¹、西山哲央¹、下村和彦¹ (1.上智大理工)

15:30 〜 15:45

[12p-A17-7] (775)B InP 基板上にMBE成長したInGaAs層のコラゲーションと光学的特性のIn組成依存性

〇松田晃賢¹、下村哲¹、森貞俊¹ (1.愛媛大院理工)

15:45 〜 16:00

[12p-A17-8] ウエハ接合で形成した量子ドット結合共振器による二波長面発光レーザ構造の作製

原山千穂¹、〇太田寛人¹、前川知久¹、盧翔孟¹、熊谷直人¹、北田貴弘¹、井須俊郎¹ (1.徳島大院フロンティア)

16:00 〜 16:15

[12p-A17-9] InAs/InGaAsP歪み量子ドット構造半導体の量子準位の解析

〇山口萌花¹、新井暢子¹、結女井出¹、今井元¹ (1.日女大理)

休憩 (16:15 〜 16:30)

16:30 〜 16:45

△ [12p-A17-10] BJB構造を有する半導体薄膜分布反射型レーザの室温連続動作

〇平谷拓生¹、井上大輔¹、冨安高弘¹、厚地祐輝¹、雨宮智宏²、西山伸彦¹、荒井滋久^1,² (1.東工大, 2.東工大量子ナノ)

16:45 〜 17:00

△ [12p-A17-11] GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの低電圧動作

〇厚地祐輝¹、福田快¹、平谷拓生¹、井上大輔¹、雨宮智宏²、西山伸彦¹、荒井滋久^1,² (1.東工大電電, 2.量子ナノ)

17:00 〜 17:15

[12p-A17-12] 直接貼付InP/Quartz基板上GaInAs/InP MQW LEDの電流注入動作

〇松本恵一¹、高巣誠¹、金谷佳則¹、岸川純也¹、下村和彦¹ (1.上智大理工)

17:15 〜 17:30

[12p-A17-13] 直接貼付InP/Si基板における接合状態評価

〇(M1)岸川純也¹、松本恵一¹、金谷佳則¹、下村和彦¹ (1.上智大理工)

17:30 〜 17:45

△ [12p-A17-14] 急速加熱処理により作製したGeSn-on-quartz構造のフォトルミネッセンス測定

〇(M1)天本隆史¹、冨永幸平¹、梶村恵子¹、細井卓治¹、志村孝功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工)

17:45 〜 18:00

[12p-A17-15] III-V-OI基板上における量子井戸インターミキシングの検討

〇高島成也^1,²、一宮佑希^1,²、竹中充^1,²、高木信一^1,² (1.東大院工, 2.JST-CREST)

18:00 〜 18:15

[12p-A17-16] F イオン注入と熱処理によるGaAsP 歪量子井戸選択的無秩序化を用いた導波光伝搬損失低減

奥田真也¹、〇上向井正裕¹、栖原敏明¹ (1.阪大院工)

18:15 〜 18:30

[12p-A17-17] 高効率動作を目的とした共振点シフトDFB-LDの提案と解析

〇(M1)市川敬一郎¹ (1.立命館大理工)

18:30 〜 18:45

[12p-A17-18] Spin-LEDにおける円偏光ヘリシティーの高速切替え実験

〇青山政樹¹、西沢望¹、西林一彦¹、宗片比呂夫¹ (1.東工大像情報)

18:45 〜 19:00

[12p-A17-19] 265nm深紫外LEDの光取出し効率向上による90mW高出力動作の実証

〇井上振一郎¹、溜直樹^1,²、谷口学¹、中屋晃成¹、木下亨²、小幡俊之²、柳裕之² (1.情報通信研究機構, 2.トクヤマ)

セッション情報