一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
2015年3月13日(金) 09:00 〜 11:45 D10 (16-305)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇清水 直1、小野 新平1, 2、畑野 敬史3、岩佐 義宏1, 4、十倉 好紀1, 4 (1.理研 CEMS, 2.電中研, 3.名大工, 4.東大工)
スケジュール
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09:15 〜 09:30
〇佐藤 洋平1、土井 聖将1、上野 和紀1 (1.東大院総合)
スケジュール
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09:30 〜 09:45
〇TINGTING WEI1, 2, Kohei Fujiwara1, Hidekazu Takana1 (1.ISIR Osaka Univ., 2.Kunming Sci Tech Univ)
スケジュール
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09:45 〜 10:00
〇西早 辰一1、打田 正輝1、小塚 裕介1、岩佐 義宏1, 2、川﨑 雅司1, 2 (1.東大工, 2.理研CEMS)
スケジュール
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10:00 〜 10:15
〇相馬 拓人1、吉松 公平1、丹羽 三冬1、大島 孝仁1、大友 明1, 2 (1.東工大院理工, 2.元素戦略)
スケジュール
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休憩 (10:15 〜 10:30)
10:30 〜 10:45
〇廣野 未沙子1、片瀬 貴義2、太田 裕道2 (1.北大工, 2.北大電子研)
スケジュール
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10:45 〜 11:00
〇鈴木 雄喜1、片瀬 貴義2、太田 裕道2 (1.北大工, 2.北大電子研)
スケジュール
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11:00 〜 11:15
〇(M2)佐々木 翼1、神吉 輝夫1、田中 秀和1 (1.阪大産研)
スケジュール
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11:15 〜 11:30
〇矢嶋 赳彬1, 2、西村 知紀1, 2、鳥海 明1, 2 (1.東大, 2.JST-CREST)
スケジュール
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11:30 〜 11:45
〇佐野 真仁1, 3、廣瀬 靖1, 2, 3、中尾 祥一郎2, 3、福村 知昭1, 2, 3、長谷川 哲也1, 2, 3 (1.東大院理, 2.JST-CREST, 3.KAST)
スケジュール
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