〇(M2)Hiraku Watanabe¹, Adie Bin Mohd Khafe¹, Hiroshi Yamuchi¹, Shigekazu Kuniyoshi¹, Masatoshi Sakai¹, Masaaki Iizuka², Kazuhiro Kudo¹ (1.Grad. Sch. Chiba. Univ., 2.Chiba Univ.)

09:30 〜 11:30

[13a-P18-6] マルチプラズマイオンプレーティングに向けた低シート抵抗ZnO透明導電膜の連続合成装置の開発

〇佐藤直幸¹、大木浩²、根矢和次²、佐藤達志² (1.茨城大院理工, 2.株式会社ビームトロン)

09:30 〜 11:30

[13a-P18-7] スパッタリング法によるAZO膜の電気特性に与える投入電力の影響

〇正力幹也¹、井上創太¹、菊池大樹¹、杉浦怜¹、舩木修平¹、山田容士¹ (1.島大総理工)

09:30 〜 11:30

[13a-P18-8] 高密度Zn-O₂混合プラズマ中におけるZnO導電膜の透明度遷移領域の観察

〇野中翔太¹、竹田直樹¹、佐藤直幸¹、池畑隆¹ (1.茨城大院理工)

09:30 〜 11:30

△ [13a-P18-9] 塗布法による酸化亜鉛ナノ粒子層pn接合の作製と評価

〇糸原大貴¹、篠原風人¹、吉田俊幸¹、藤田恭久¹ (1.島根大院総理工)

09:30 〜 11:30

△ [13a-P18-10] n型酸化亜鉛発光層を用いた酸化亜鉛ナノ粒子塗布型紫外線発光ダイオードの作製

〇清山拓史¹、平儀野雄斗¹、阿部耕介²、橋本英樹³、リンジェイ³、吉田俊幸¹、藤田恭久¹ (1.島根大院総理, 2.島根大総理, 3.島根大戦略的研究C)

09:30 〜 11:30

[13a-P18-11] ガリウムアセチルアセトナートを用いた酸化ガリウムのMOCVD成長

高橋映成¹、〇安田隆¹、中込真二¹、國分義弘¹ (1.石巻専修大理工)

09:30 〜 11:30

[13a-P18-12] ミストエピタキシー法によるα型酸化ガリウムの横方向選択成長(ELO)

〇高塚章夫¹、織田真也¹、金子健太郎²、藤田静雄²、人羅俊実¹ (1.株式会社FLOSFIA, 2.京大院工)

09:30 〜 11:30

[13a-P18-13] ワイドギャップ半導体β-Ga₂O₃単結晶のテラヘルツ波反射測定によるキャリア密度評価

〇齋藤伸吾¹、尾沼猛儀^1,^2,³、佐々木公平^1,⁴、倉又朗人⁴、関根徳彦¹、笠松章史¹、東脇正高¹ (1.情通機構, 2.東京高専, 3.工学院大, 4.タムラ製作所)

09:30 〜 11:30

[13a-P18-14] ミストCVDによって作製したコランダム型酸化インジウム(α-In₂O₃)の特性評価

〇(B)須和祐太¹、川原村敏幸¹、小島一信²、秩父重英² (1.高知工大シス工, 2.東北大多元研)

09:30 〜 11:30

[13a-P18-15] サファイア上にミストCVD成長させたα-Fe₂O₃(0001)薄膜のCAICISSによる表面構造解析

〇尾坂駿¹、丹波大樹¹、高橋一暉¹、織田真也^2,³、金子健太郎²、田畑博史¹、久保理¹、藤田静雄²、片山光浩¹ (1.阪大院工, 2.京大院工, 3.FLOSFIA(株))

09:30 〜 11:30

[13a-P18-16] GaとH₂Oを原料とする大気圧化学気相堆積法によるβ-Ga₂O₃薄膜及びナノ構造の成長

〇寺迫智昭¹、一ノ谷光²、宮田晃²、矢木正和³ (1.愛媛大院理工, 2.愛媛大工, 3.香川高専)

09:30 〜 11:30

[13a-P18-17] ヘテロ接合を用いたDLTS法によるIGZO薄膜のトラップ準位の評価（２）

〇小坂修司¹、横田嘉宏¹、岡田廣¹ (1.コベルコ科研)

09:30 〜 11:30

△ [13a-P18-18] 滴下法により形成したZnOナノ粒子層のMES-FET応用のための基礎的検討

〇篠原風人¹、糸原大貴¹、吉田俊幸¹、藤田恭久¹ (1.島根大院総理)

09:30 〜 11:30

[13a-P18-19] SiN:Fゲート絶縁膜を用いた高信頼性a-InGaZnO薄膜トランジスタの界面における結合状態の解析

〇(DC)山崎はるか¹、石河泰明¹、藤井茉美¹、高橋英治²、安東靖典²、浦岡行治¹ (1.奈良先端大, 2.日新電機)

09:30 〜 11:30

[13a-P18-20] In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおけるパッシベーション膜の効果　～フッ素含有酸化シリコン・酸化シリコン/窒化シリコン積層パッシベーション～

〇辰岡玄悟¹、Jingxin Jiang¹、Dapeng Wang^1,²、古田守^1,² (1.高知工大環境理工, 2.高知工大総研)

09:30 〜 11:30

[13a-P18-21] プラズマ処理によるIGZO TFTのソース・ドレイン領域形成～ガス種と基板バイアスが抵抗率およびその熱的安定性に及ぼす効果～

〇曲勇作¹、Dapeng Wang^1,²、古田守^1,² (1.高知工大環境, 2.高知工大総研)

09:30 〜 11:30

[13a-P18-22] In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおけるソース・ドレイン電極プラズマエッチングダメージと実効チャネル長への影響

〇是友大地¹、戸田達也¹、ワンダーパン^1,²、古田守^1,² (1.高知工大環境理工, 2.高知工大総研)

セッション情報

[13a-P18-1~22] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス（ポスター）

[13a-P18-1] 触媒反応生成高エネルギーH₂O ビームのエネルギー状態

[13a-P18-2] MnドーピングがZnOホモエピタキシャル薄膜成長過程に与える影響

[13a-P18-3] 水素導入による酸化亜鉛の電気特性変化

[13a-P18-4] ZnOサブミクロンロッドの光学的特性

▲ [13a-P18-5] Physical Property Evaluation of ZnO Thin Film Fabricated by Low-temperature process for Flexible Transparent Devices

[13a-P18-6] マルチプラズマイオンプレーティングに向けた低シート抵抗ZnO透明導電膜の連続合成装置の開発

[13a-P18-7] スパッタリング法によるAZO膜の電気特性に与える投入電力の影響

[13a-P18-8] 高密度Zn-O₂混合プラズマ中におけるZnO導電膜の透明度遷移領域の観察

△ [13a-P18-9] 塗布法による酸化亜鉛ナノ粒子層pn接合の作製と評価

△ [13a-P18-10] n型酸化亜鉛発光層を用いた酸化亜鉛ナノ粒子塗布型紫外線発光ダイオードの作製

[13a-P18-11] ガリウムアセチルアセトナートを用いた酸化ガリウムのMOCVD成長

[13a-P18-12] ミストエピタキシー法によるα型酸化ガリウムの横方向選択成長(ELO)

[13a-P18-13] ワイドギャップ半導体β-Ga₂O₃単結晶のテラヘルツ波反射測定によるキャリア密度評価

[13a-P18-14] ミストCVDによって作製したコランダム型酸化インジウム(α-In₂O₃)の特性評価

[13a-P18-15] サファイア上にミストCVD成長させたα-Fe₂O₃(0001)薄膜のCAICISSによる表面構造解析

[13a-P18-16] GaとH₂Oを原料とする大気圧化学気相堆積法によるβ-Ga₂O₃薄膜及びナノ構造の成長

[13a-P18-17] ヘテロ接合を用いたDLTS法によるIGZO薄膜のトラップ準位の評価（２）

△ [13a-P18-18] 滴下法により形成したZnOナノ粒子層のMES-FET応用のための基礎的検討

[13a-P18-19] SiN:Fゲート絶縁膜を用いた高信頼性a-InGaZnO薄膜トランジスタの界面における結合状態の解析

[13a-P18-20] In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおけるパッシベーション膜の効果　～フッ素含有酸化シリコン・酸化シリコン/窒化シリコン積層パッシベーション～

[13a-P18-21] プラズマ処理によるIGZO TFTのソース・ドレイン領域形成～ガス種と基板バイアスが抵抗率およびその熱的安定性に及ぼす効果～

[13a-P18-22] In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおけるソース・ドレイン電極プラズマエッチングダメージと実効チャネル長への影響

認証

セッション情報

[13a-P18-1~22] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス（ポスター）

▲ [13a-P18-5] Physical Property Evaluation of ZnO Thin Film Fabricated by Low-temperature process for Flexible Transparent Devices

△ [13a-P18-9] 塗布法による酸化亜鉛ナノ粒子層pn接合の作製と評価

△ [13a-P18-10] n型酸化亜鉛発光層を用いた酸化亜鉛ナノ粒子塗布型紫外線発光ダイオードの作製

△ [13a-P18-18] 滴下法により形成したZnOナノ粒子層のMES-FET応用のための基礎的検討

認証

[13a-P18-1~22] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス（ポスター）