[13p-P4-1~3] 3.13 半導体光デバイス

2015年3月13日(金) 16:30 〜 18:30 P4 (総合体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

16:30 〜 18:30

[13p-P4-1] 高密度InAs歪量子ドットを活性層に含むリッジレーザの作製と評価

〇伴龍太郎¹、菅原宏治¹、赤羽浩一²、山本直克² (1.首都大SD, 2.情通機構)

16:30 〜 18:30

〇坂口浩一郎¹、船木洸希¹、福嶋丈浩¹、徳田安紀¹ (1.岡山県立大)

16:30 〜 18:30

〇大森雅登¹、杉村和哉¹、小嶋友也¹、加戸作成¹、野田武司²、Vitushinskiy Pavel¹、岩田直高¹、榊裕之^1,² (1.豊田工大, 2.物材研)