[14a-D10-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年3月14日(土) 09:30 〜 11:45 D10 (16-305)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:30 〜 09:45

[14a-D10-1] RFバイアス三極スパッタ法におけるイオン照射を利用したO面，Zn面，a面およびm面ZnO薄膜の形成

〇橋本亮介¹、高柳真司¹、柳谷隆彦²、松川真美¹ (1.同志社大学, 2.名工大)

09:45 〜 10:00

〇高田千裕¹、高柳真司¹、柳谷隆彦²、松川真美¹ (1.同志社大, 2.名工大)

10:00 〜 10:15

〇奥村竜二¹、高田直也¹、大久保貴雅¹、近藤祐太¹、市川洋¹ (1.名工大)

10:15 〜 10:30

〇奥村竜二¹、高田直也¹、大久保貴雅¹、近藤祐太¹、市川洋¹ (1.名工大)

10:30 〜 10:45

〇(D)森山拓洋^1,²、榎本雄太郎¹、岸田悟^1,²、木下健太郎^1,² (1.鳥取大工, 2.TiFREC)

10:45 〜 11:00

〇(M2)吉原正人¹、原田晃典¹、伊藤敏幸¹、岸田悟^1,²、木下健太郎^1,² (1.鳥取大工, 2.TiFREC)

11:00 〜 11:15

〇島久¹、秋永広幸¹ (1.産総研ナノエレ部門)

11:15 〜 11:30

〇杉江敏幸¹、橋本修平¹、張子洋¹、山下馨¹、野田実¹ (1.京工繊工芸)

11:30 〜 11:45

〇橋本修平¹、杉江敏幸¹、張子洋¹、山下馨¹、野田実¹ (1.京工繊工芸)