[14p-B1-1~6] 窒化物半導体特異構造の科学　～成長・プロセスとエレクトロニクス展開～

2015年3月14日(土) 12:45 〜 15:00 B1 (6B-101)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

12:45 〜 13:15

[14p-B1-1] Ⅲ-Cl・Ⅲ-Cl₃混在ハライド気相成長によるⅢ族窒化物特異構造の形成

〇熊谷義直¹、富樫理恵¹、ティユクァントゥ²、村上尚¹、Monemar Bo^2,³、纐纈明伯¹ (1.東京農工大院工, 2.東京農工大GIRO, 3.Linköping Univ.)

13:15 〜 13:45

〇伊藤智徳¹ (1.三重大院工)

13:45 〜 14:00

〇篠塚雄三¹、小田将人¹ (1.和歌山大システム工)

14:00 〜 14:15

〇(D)市川修平¹、岩田佳也¹、船戸充¹、川上養一¹ (1.京大院工)

14:15 〜 14:30

〇市川将嗣^1,²、藤岡陽¹、小杉卓生¹、遠藤慎哉¹、佐川治信¹、玉置寛人¹、向井孝志¹、魚本幸²、島津武仁^2,³ (1.日亜化学, 2.東北大学際研, 3.東北大通研)

14:30 〜 15:00

〇平山秀樹¹、前田哲利¹、定昌史¹、寺嶋亘¹、豊田史朗^1,²、鎌田憲彦² (1.理研, 2.埼玉大)