[14p-D10-1~7] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年3月14日(土) 13:00 〜 14:45 D10 (16-305)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

13:00 〜 13:15

▲ [14p-D10-1] Effects of the Oxide Film Density on the Resistive Switching Characteristics of Atomic Switches

〇(P)Cedric Mannequin¹, Tohru Tsuruoka¹, Tsuyoshi Hasegawa¹, Masakazu Aono¹ (1.NIMS-WPI-MANA)

13:15 〜 13:30

〇鶴岡徹¹、モハパトラソーミャ¹、クリシュナンカーティック¹、長谷川剛¹、青野正和¹ (1.物材機構)

13:30 〜 13:45

〇(M2)韓業飛¹、濵嵜容丞¹、安井伸太郎¹、谷山智康¹、伊藤満¹ (1.東工大応セラ研)

13:45 〜 14:00

〇(M1)木村康平¹、小石遼介¹、河野公紀¹、岸田悟^1,²、木下健太郎^1,² (1.鳥大工, 2.TiFREC)

14:00 〜 14:15

〇(M1)澤居優圭¹、高相圭¹、青木智宏¹、岸田悟^1,²、木下健太郎^1,² (1.鳥取大工, 2.TiFREC)

14:15 〜 14:30

〇篠倉弘樹¹、西佑介¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

14:30 〜 14:45

〇JUN CHEN¹, JIANYONG LI², SHUN ITO³, SEKIGUCHI TAKASHI¹ (1.NIMS, 2.JST, 3.Tohoku Unvi.)