一般セッション(口頭講演)

[11p-A2-1~10] 11.1 基礎物性

2015年3月11日(水) 14:00 〜 16:45 A2 (6A-106)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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14:00 〜 14:15

[11p-A2-1] グラフェンを用いた交差アンドレーエフ反射検出器の作製

〇上保淳敬¹、津村公平¹、高柳英明^1,² (1.東理大応, 2.物材機構ＭＡＮＡ)

14:15 〜 14:30

[11p-A2-2] グラフェン／超伝導体接合の輸送特性に対する光照射効果のゲート電圧変化

〇津村公平¹、古川直紀¹、伊藤宙陛³、渡辺英一郎²、津谷大樹²、高柳英明^1,³ (1.東理大, 2.NIMS微細加工PF, 3.NIMS-MANA)

14:30 〜 14:45

[11p-A2-3] Bi₂Sr_2-xLa_xCaCu₂O_8+δにおける固有ジョセフソン特性

〇野村義樹¹、温一凡¹、神原仁志¹、掛谷一弘¹ (1.京大院工)

14:45 〜 15:00

[11p-A2-4] 大面積固有ジョセフソン接合のリトラッピング特性

〇村田健一郎¹、赤坂圭司¹、八巻和宏¹、入江晃亘¹ (1.宇都宮大工)

15:00 〜 15:15

[11p-A2-5] パルス電流印加法を用いたメサ型固有接合の発熱評価

〇(BC)岩塚紳矢¹、及川大¹、室谷英彰¹、杉浦藤虎¹、安藤浩哉¹、塚本武彦¹ (1.豊田高専)

休憩（15:15 〜 15:30）

15:30 〜 15:45

[11p-A2-6] 塩酸改質法により作製した固有ジョセフソン接合テラヘルツ波発振素子

〇赤坂圭司¹、倉成友理¹、八巻和宏¹、入江晃亘¹ (1.宇都宮大工)

15:45 〜 16:00

[11p-A2-7] 両面加工法で作製したBi系固有接合スタックの発振特性と温度分布評価

〇加藤孝弘¹、西方翼¹、小瀧侑央¹、安井寛治¹、末松久幸¹、石橋隆幸¹、王華兵²、羽多野毅²、川上彰³ (1.長岡技大, 2.物材機構, 3.情報通信研究機構)

16:00 〜 16:15

[11p-A2-8] 希塩酸法で作製されたBi₂Sr₂CaCu₂O_yスタックの電磁波放射特性の幾何学的依存性

〇小瀧侑央¹、加藤孝弘²、H.B. Wang³、羽多野毅³、川上彰⁴、鈴木常生¹、中山忠親¹、新原晧一¹ (1.長岡技大極限センター, 2.長岡技大電気系, 3.物材研, 4.情報通信研究機構)

16:15 〜 16:30

[11p-A2-9] LaドープBi₂Sr₂CaCu₂O_8+δによるテラヘルツ波発振

〇(M1)温一凡¹ (1.京都大工)

16:30 〜 16:45

[11p-A2-10] Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ薄膜固有ジョセフソン接合テラヘルツ波発振デバイスの液体窒素温度動作

〇竹野智史¹、渡辺祥吾¹、木村渉¹、山田博信¹、立木隆²、内田貴司²、中島健介¹ (1.山形大, 2.防衛大)

一般セッション(口頭講演)

[12p-A2-1~17] 11.1 基礎物性

2015年3月12日(木) 13:30 〜 18:00 A2 (6A-106)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 13:45

[12p-A2-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 高フッ素濃度単結晶SmFeAsO_1-xF_xの合成とFIB を用いた微小結晶への4端子電極作製プロセス

〇藤岡正弥¹、Denholme Saleem¹、田中将嗣¹、鈴木皓司^1,²、原裕^1,²、山木拓馬^1,²、山下愛智^1,²、山口尚秀¹、竹屋浩幸¹、高野義彦^1,² (1.物材機構, 2.筑波大学)

13:45 〜 14:00

[12p-A2-2] SmFeAs(O,F)の相生成および超伝導特性に対するSn添加効果

〇(B)林功輔¹、荻野拓¹、焼田裕之¹、岡田朋之¹、山本明保¹、岸尾光二¹、下山淳一¹ (1.東大工)

14:00 〜 14:15

[12p-A2-3] (Ca,RE)FeAs₂の超伝導特性のRE依存性

〇焼田裕之¹、荻野拓¹、サラアルベルト^1,²、岡田朋之¹、山本明保¹、岸尾光二¹、伊豫彰²、永崎洋²、下山淳一¹ (1.東大院工, 2.産総研)

14:15 〜 14:30

[12p-A2-4] ペアレンツ・アロイングによるBaFe₂(As,P)₂多結晶体の合成

〇辻岳千里¹、山本明保^1,²、荻野拓¹、下山淳一¹、岸尾光二¹ (1.東大院工, 2.JSTさきがけ)

14:30 〜 14:45

[12p-A2-5] Co添加BaFe₂As₂エピタキシャル薄膜における特異な圧力効果

〇佐藤光¹、平松秀典^1,²、神谷利夫^1,²、細野秀雄^1,^2,³ (1.東工大応セラ研, 2.東工大元素戦略研, 3.東工大フロンティア研)

14:45 〜 15:00

△ [12p-A2-6] 層間長の大きな新規インターカレーション超伝導体Li_x(C₆H₁₆N₂)_yFe_2-zSe₂の合成

〇細野祥平¹、野地尚¹、畑田武宏¹、川股隆行¹、加藤雅恒¹、小池洋二¹ (1.東北大院工)

15:00 〜 15:15

[12p-A2-7] CaF₂基板を用いたFeSe_1-xTe_xエピタキシャル薄膜の作製と相分離の抑制

〇今井良宗¹、澤田雄一¹、鍋島冬樹¹、前田京剛¹ (1.東大院総合)

15:15 〜 15:30

△ [12p-A2-8] 相分離を抑制したFeSe_1-xTe_x薄膜の磁場中輸送特性

〇澤田雄一¹、鍋島冬樹¹、今井良宗¹、前田京剛¹ (1.東大院総合)

15:30 〜 15:45

[12p-A2-9] FeSe_1-xTe_x 薄膜における臨界電流密度特性の評価

〇花輪雅史¹、塚田一郎¹、鍋島冬樹²、今井良宗²、前田京剛²、Tarantini Chiara³、Polyanskii Anatolii³、Larbalestier David³ (1.電中研, 2.東大総合文化, 3.ASC/NHMFL/フロリダ州立大)

休憩（15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

[12p-A2-10] Hg系超伝導銅酸化物のアンダードープ状態における高圧効果

〇山本文子¹、竹下直²、寺倉千恵子¹、十倉好紀¹ (1.理研創発物性センター, 2.産総研電子光部門)

16:15 〜 16:30

[12p-A2-11] RE247相の簡便な合成方法と超伝導特性

〇下山淳一¹、堀井滋²、岸尾光二¹ (1.東大院工, 2.京大院エネ科)

16:30 〜 16:45

[12p-A2-12] 回転変調磁場下における(Y_1-xEr_x)Ba₂Cu₃O_yの配向挙動

〇藤岡祥太郎¹、堀井滋¹、松浦瞬¹、土井俊哉¹、木村史子²、木村恒久² (1.京大院エネ科, 2.京大院農)

16:45 〜 17:00

[12p-A2-13] マティアスルール適用によるSrBi₃の超伝導転移温度上昇

〇伊豫彰¹、柳陽介^1,²、金城達也^1,³、西尾太一郎^1,³、長谷泉¹、柳澤孝¹、石田茂之¹、鬼頭聖¹、竹下直¹、岡邦彦¹、吉田良行¹、永崎洋¹ (1.産総研, 2.イムラ材研, 3.東理大)

17:00 〜 17:15

[12p-A2-14] トポタクティック合成したBi₂(O,F)S₂の圧力効果

岡田朋之¹、〇荻野拓¹、下山淳一¹、岸尾光二¹、伊豫彰²、竹下直²、白川直樹²、永崎洋² (1.東大院工, 2.産総研)

17:15 〜 17:30

[12p-A2-15] LaNO₃からLaNiO₂へのトポタクティック変換におけるNi/La組成比依存性

〇池田愛¹、真部高明²、内藤方夫¹ (1.農工大, 2.産総研)

17:30 〜 17:45

[12p-A2-16] O^{₃雰囲気中での銀酸化物薄膜の低温エピタキシャル成長}

〇七尾美子¹ (1.農工大工)

17:45 〜 18:00

[12p-A2-17] (Sr,M)-(Mo,Mo')-O系113相酸化物(M = La, Ca; M' = V, Nb)の物性、導電率の組成依存

〇福田大地¹、石田直哉¹、北村尚斗¹、井手本康¹ (1.東理大理工)

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[11p-A2-1] グラフェンを用いた交差アンドレーエフ反射検出器の作製

[11p-A2-2] グラフェン／超伝導体接合の輸送特性に対する光照射効果のゲート電圧変化

[11p-A2-3] Bi₂Sr_2-xLa_xCaCu₂O_8+δにおける固有ジョセフソン特性

[11p-A2-4] 大面積固有ジョセフソン接合のリトラッピング特性

[11p-A2-5] パルス電流印加法を用いたメサ型固有接合の発熱評価

[11p-A2-6] 塩酸改質法により作製した固有ジョセフソン接合テラヘルツ波発振素子

[11p-A2-7] 両面加工法で作製したBi系固有接合スタックの発振特性と温度分布評価

[11p-A2-8] 希塩酸法で作製されたBi₂Sr₂CaCu₂O_yスタックの電磁波放射特性の幾何学的依存性

[11p-A2-9] LaドープBi₂Sr₂CaCu₂O_8+δによるテラヘルツ波発振

[11p-A2-10] Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ薄膜固有ジョセフソン接合テラヘルツ波発振デバイスの液体窒素温度動作

[12p-A2-1~17] 11.1 基礎物性

[12p-A2-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 高フッ素濃度単結晶SmFeAsO_1-xF_xの合成とFIB を用いた微小結晶への4端子電極作製プロセス

[12p-A2-2] SmFeAs(O,F)の相生成および超伝導特性に対するSn添加効果

[12p-A2-3] (Ca,RE)FeAs₂の超伝導特性のRE依存性

[12p-A2-4] ペアレンツ・アロイングによるBaFe₂(As,P)₂多結晶体の合成

[12p-A2-5] Co添加BaFe₂As₂エピタキシャル薄膜における特異な圧力効果

△ [12p-A2-6] 層間長の大きな新規インターカレーション超伝導体Li_x(C₆H₁₆N₂)_yFe_2-zSe₂の合成

[12p-A2-7] CaF₂基板を用いたFeSe_1-xTe_xエピタキシャル薄膜の作製と相分離の抑制

△ [12p-A2-8] 相分離を抑制したFeSe_1-xTe_x薄膜の磁場中輸送特性

[12p-A2-9] FeSe_1-xTe_x 薄膜における臨界電流密度特性の評価

[12p-A2-10] Hg系超伝導銅酸化物のアンダードープ状態における高圧効果

[12p-A2-11] RE247相の簡便な合成方法と超伝導特性

[12p-A2-12] 回転変調磁場下における(Y_1-xEr_x)Ba₂Cu₃O_yの配向挙動

[12p-A2-13] マティアスルール適用によるSrBi₃の超伝導転移温度上昇

[12p-A2-14] トポタクティック合成したBi₂(O,F)S₂の圧力効果

[12p-A2-15] LaNO₃からLaNiO₂へのトポタクティック変換におけるNi/La組成比依存性

[12p-A2-16] O^{₃雰囲気中での銀酸化物薄膜の低温エピタキシャル成長}

[12p-A2-17] (Sr,M)-(Mo,Mo')-O系113相酸化物(M = La, Ca; M' = V, Nb)の物性、導電率の組成依存

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△ [12p-A2-8] 相分離を抑制したFeSe1-xTex薄膜の磁場中輸送特性

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△ [12p-A2-8] 相分離を抑制したFeSe_1-xTe_x薄膜の磁場中輸送特性