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一般セッション(口頭講演)

[12a-A20-1~10] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

2015年3月12日(木) 09:30 〜 12:15 A20 (6A-212)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

△ [12a-A20-1] InAs 量子ドットを埋め込んだナノワイヤ構造の Si 基板上成長とその光学特性

〇(D)權晋寛¹、渡邉克之^1,²、岩本敏^1,²、荒川泰彦^1,² (1.東大生研, 2.東大ナノ量子)

09:45 〜 10:00

△ [12a-A20-2] InP/AlGaPコアシェルナノワイヤの結晶構造評価

〇石坂文哉¹、平谷佳大¹、冨岡克広^1,²、福井孝志¹ (1.北大院情報科学および量子集積センター, 2.JST さきがけ)

10:00 〜 10:15

[12a-A20-3] MOVPE選択成長法によるSi(100), SOI基板上のInAsナノワイヤ成長

〇冨岡克広^1,²、石坂文哉¹、中井栄治¹、本久順一¹、福井孝志¹ (1.北大院情報科学および量子集積センター, 2.JSTさきがけ)

10:15 〜 10:30

[12a-A20-4] GaAs/InGaAs/GaAs コアマルチシェルナノワイヤ共振器の評価

〇(M2)和田年弘¹、原真二郎^1,²、本久順一¹ (1.北大院, 2.量子集積研究センター)

10:30 〜 10:45

[12a-A20-5] 間隔の広いInP系NWアレイと量子ドットの形成と評価

〇(M2)柳瀬祥吾¹、原真二郎^1,²、本久順一¹ (1.北大院, 2.量子集積センター)

休憩（10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

[12a-A20-6] ナノワイヤFET作製におけるインクジェットプリンタとマニピュレータを用いたナノワイヤ転写精度の改善

〇佐々木智¹、舘野功太¹、章国強¹、原田裕一¹、齊藤志郎¹、藤原聡¹、村木康二¹ (1.NTT物性基礎研)

11:15 〜 11:30

[12a-A20-7] InAsP/InPナノワイヤ成長におけるTBAsパルス供給とTBClの効果

〇舘野功太^1,²、滝口雅人^1,²、章国強^1,²、後藤秀樹² (1.NTT-NPC, 2.NTT物性研)

11:30 〜 11:45

[12a-A20-8] 自己触媒VLSナノワイヤにおける軸方向成長速度の均一化

〇章国強¹、舘野功太¹、後藤秀樹¹ (1.NTT 物性研)

11:45 〜 12:00

[12a-A20-9] InAsおよびInPナノワイヤFETにおけるポストアニーリング効果の電極材料依存性

〇芦川耶眞登^1,²、Guoqiang Zhang¹、舘野功太¹、原田裕一¹、齊藤志郎¹、藤原聡¹、村木康二¹、佐々木智^1,² (1.NTT物性基礎研, 2.東北大理)

12:00 〜 12:15

[12a-A20-10] 自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアシェルナノワイヤの成長

〇(M1)荻野雄大¹、朝倉啓太¹、下村和彦¹、和保孝夫¹ (1.上智大理工)

一般セッション(口頭講演)

[12p-A20-1~16] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

2015年3月12日(木) 14:00 〜 18:30 A20 (6A-212)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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14:00 〜 14:15

△ [12p-A20-1] 半導体ナノワイヤの変形ポテンシャル・弾性限界のその場顕微分光評価

〇(PC)渡辺健太郎^1,²、長田貴弘¹、若山裕¹、関口隆史¹、フォルクヤノシュ³ (1.物材機構, 2.筑波大学, 3.ハンガリー科学アカデミー)

14:15 〜 14:30

[12p-A20-2] Au触媒GaAsナノワイヤの構造多形メカニズム

〇佐々木拓生¹、出来亮太²、高橋正光^1,² (1.原子力機構, 2.兵庫県立大)

14:30 〜 14:45

▲ [12p-A20-3] Effects of Fabrication Process of Anodic Aluminum Oxide on Selective Growth of Si Nanowire Arrays

〇(P)Hoang Nguyen Van^1,², Sergii TUTASHKONKO^1,², Yusuke HOSHI², Noritaka USAMI^1,², Makoto KONAGAI^1,³ (1.MEXT, FUTURE-PV Innovation, Japan Science and Technology Agency, Japan, 2.Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan, 3.Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, Japan)

14:45 〜 15:00

[12p-A20-4] Ge/Si コアシェルナノワイヤ作製に向けたナノワイヤ形状に対するSiシェル膜厚依存性の観測

〇野口智弘¹、森田広大¹、Simanullang Marolop¹、Xu Zhengyu¹、宇佐美浩一¹、河野行雄^1,²、小寺哲夫²、小田俊理^1,² (1.東工大量子ナノ研セ, 2.東工大電子物理)

15:00 〜 15:15

[12p-A20-5] Ge/Si コアシェルナノワイヤの熱電特性評価

〇森田広大¹、野口智弘¹、宇佐美浩一¹、マロロプシマニュラン¹、河野行雄^1,²、小寺哲夫²、小田俊理^1,² (1.東工大量子ナノ研セ, 2.東工大電子物理)

15:15 〜 15:30

△ [12p-A20-6] イオン液体中への金ナノ粒子の合成と結晶学・電気的特性の評価

〇松本雄介¹、竹内光明¹、龍頭啓充¹、高岡義寛¹ (1.京大院工)

休憩（15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[12p-A20-7] 高密度FePtナノドットスタック構造の電子輸送特性

〇(M2)壁谷悠希¹、満行優介¹、張海¹、大田晃生¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

16:00 〜 16:15

[12p-A20-8] 外部磁場がFePt合金ナノドットへの電子注入特性に及ぼす影響

〇満行優介¹、壁谷悠希¹、張海¹、大田晁生¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

16:15 〜 16:30

▲ [12p-A20-9] Atomic Characterization of Si Nanocrystals Embedded in SiO₂ Matrix by Atom Probe Tomography

〇(DC)Bin Han¹, Yasuo Shimizu¹, Koji Inoue¹, Gabriele Seguini², Michele Perego², Yasuyoshi Nagai¹ (1.IMR Tohoku Univ., 2.IMM-CNR)

16:30 〜 16:45

[12p-A20-10] CeO₂ナノ粒子上へ選択的結晶成長させたアナターゼ型TiO₂の結晶構造

〇北條大介¹、阿尻雅文¹ (1.東北大WPI-AIMR)

16:45 〜 17:00

[12p-A20-11] シリコンナノ結晶ソリッドにおけるナノ結晶間相互作用(Ⅱ)

〇古田健太¹、杉本泰¹、今北健二¹、藤井稔¹ (1.神戸大院工)

17:00 〜 17:15

[12p-A20-12] シリコンナノ結晶コロイド塗布薄膜の形成と評価 (Ⅱ)

〇佐々木誠仁¹、杉本泰¹、加納伸也¹、今北健二¹、藤井稔¹ (1.神戸大院工)

休憩（17:15 〜 17:30）

17:30 〜 17:45

[12p-A20-13] ポストレーザー照射によるナノ結晶 Si コロイドの発光波長制御

〇(B)渡邊幹太¹、袁澤¹、中村俊博¹、安達定雄¹ (1.群馬大理工)

17:45 〜 18:00

[12p-A20-14] シリコン切粉からのシリコンナノパーティクルの作製と応用

〇松本健俊^1,³、前田譲章^1,³、喜村勝矢^1,³、松田真輔^1,³、小林悠輝^1,³、今村健太郎^1,³、金谷弥生^2,³、肥後徹^2,³、小林光^1,³ (1.阪大産研, 2.日新化成, 3.CREST-JST)

18:00 〜 18:15

[12p-A20-15] 自己組織化多孔質誘電体薄膜を用いた周期的孤立ナノ金属構造の形成

〇今里真之¹、塚本新¹ (1.日大理工)

18:15 〜 18:30

[12p-A20-16] 静電気放電による樹脂系粉体の最小着火エネルギーにパージ用窒素濃度が及ぼす影響

〇崔光石¹、西村浩次郎² (1.安衛研, 2.産業安全技術協会)

一般セッション(ポスター講演)

[13p-P12-1~16] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

2015年3月13日(金) 16:30 〜 18:30 P12 (総合体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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16:30 〜 18:30

[13p-P12-1] 白色発光を伴う水蒸気酸化GaAs/AlGaAs ヘテロ構造ナノワイヤ

〇石川史太郎¹、日比秀昭²、山本直紀³ (1.愛媛大院理工, 2.阪大院工, 3.東工大院理工)

16:30 〜 18:30

[13p-P12-2] Si(111)基板上GaAsBiナノワイヤの分子線エピタキシャル成長

〇赤松良彦¹、石川史太郎¹、下村哲¹ (1.愛媛大院理工)

16:30 〜 18:30

[13p-P12-3] InGaN/InGaN多重積層構造ナノワイヤおよびIn偏析に関する検討

〇堤裕理¹、木津良祐¹、本田善央¹、天野浩^1,² (1.名大工, 2.赤崎記念研究センター)

16:30 〜 18:30

[13p-P12-4] 自己触媒VLS法によるInPナノワイヤのTMI供給量依存性

〇(B)朝倉啓太¹、荻野雄大¹、下村和彦¹、和保孝夫¹ (1.上智大理工)

16:30 〜 18:30

▲ [13p-P12-5] H₂ Annealing for Improving of Si Nanowire-based Solar cells

〇Wipakorn Jevasuwan¹, Kiyomi Nakajima¹, Yoshimasa Sugimoto¹, Naoki Fukata¹ (1.NIMS)

16:30 〜 18:30

▲ [13p-P12-6] Structural control of Ge/Si core/shell nanowire

Minke Yu^1,², 〇Wipakorn Jevasuwan¹, Naoki Fukata¹ (1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba)

16:30 〜 18:30

[13p-P12-7] Auナノ粒子を用いたSiナノコーンの形成と反射率特性の評価

〇(M1C)田中規寛¹、近藤彰人¹、清水智弘¹、新宮原正三¹ (1.関西大)

16:30 〜 18:30

[13p-P12-8] Siナノワイヤの熱電特性に関する理論的検討: 構造多形の影響

〇(M1)菰田貴都¹、秋山亨¹、中村浩次¹、伊藤智徳¹ (1.三重大院工)

16:30 〜 18:30

[13p-P12-9] リチウムイオン電池負極材料に向けたゲルマニウムナノワイヤ形成法へのウエットエッチング法の導入

〇伊藤和希¹、呂志強¹、山浦大地¹、荻野俊郎^1,² (1.横国大, 2.CREST/JST)

16:30 〜 18:30

[13p-P12-10] エレクトロスピニング法によるPolyamide 6極細ナノファイバーの透明電極への応用

〇(B)竹中一生¹、真部研吾¹、深田健太¹、能登屋桃子¹、白鳥世明¹ (1.慶大理工)

16:30 〜 18:30

[13p-P12-11] Nb:TiO₂ナノファイバを含む原料液を用いた電界紡糸法の開発と色素増感太陽電池への応用

〇郭世栄¹、今田慎二¹、堀江雄二¹、野見山輝明¹ (1.鹿児島大院理工)

16:30 〜 18:30

[13p-P12-12] TiO₂ナノ粒子/WO₃ナノファイバ交互積層法による光蓄電電極の作製

〇(M1C)田畑寿樹¹、荒川大樹¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹ (1.鹿児島大院理工)

16:30 〜 18:30

[13p-P12-13] 微小空間に閉じ込め加熱された金属の挙動解析

〇運天政貴¹、徳永智春²、吉田弥伸¹、飯島徹¹、上杉祐生¹、西川亘¹、山下善文¹、林靖彦¹ (1.岡山大院自然, 2.名古屋大院工)

16:30 〜 18:30

[13p-P12-14] ZnAl₂O₄ナノ粒子の２液プリカーサーからの水熱合成

〇石井聡¹、古澤崇哉¹、中根茂行² (1.東京電機大理工, 2.物材機構)

16:30 〜 18:30

[13p-P12-15] 真空蒸着法による有機溶媒中での金ナノ粒子の合成

〇藤田朗人¹、松本雄介¹、竹内光明¹、龍頭啓充¹、高岡義寛¹ (1.京大光電子理工セ)

16:30 〜 18:30

[13p-P12-16] 静電吸着法を利用した微粒子集積化Ⅱ

安東優輝¹、〇前田篤志¹、武藤浩行²、松田厚範² (1.府大高専, 2.豊橋技科大)

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