[11a-A21-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-A21-2] GaAsSb バックワードダイオードの実測特性の理論解析によるデバイスモデル構築

〇小野 孝介¹、藤田 尚成¹、伊森 香織¹、須原 理彦¹、高橋 剛² (1.首都大理工, 2.富士通研)

キーワード：バックワードダイオード、トンネル、ゼロバイアス検波