[11a-A23-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[11a-A23-1] FLA法を用いて作製した高性能多結晶Ge tri-gate p-/n-MOSFETの実証

〇臼田 宏治¹、鎌田 善己¹、上牟田 雄一¹、森 貴洋¹、小池 正浩¹、手塚 勉¹ (1.産総研GNC)

キーワード：Ge、多結晶、MOSFET