[11a-A23-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[11a-A23-11] Si/InGaAsヘテロ接合界面縦型トンネルFETのシェル層歪効果

〇冨岡 克広^{1, 2}、石坂 文哉¹、中井 栄治¹、本久 順一¹、福井 孝志¹ (1.北大院情報科学および量子集積センター, 2.JSTさきがけ)

キーワード：トンネルFET、III-Vナノワイヤ、縦型FET