[11a-A27-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [11a-A27-10] トンネルFETのシングルイベント耐性評価

〇呉 研¹、山本 航汰¹、家城 大輔¹、高橋 芳浩¹ (1.日大理工)

キーワード：シングルイベント効果、トンネルFET