[11a-A27-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [11a-A27-4] 高Ge濃度歪SiGeメサ構造に印加された異方性2軸応力評価

〇山本 章太郎¹、武内 一真¹、富田 基裕^{1, 3}、小瀬村 大亮¹、臼田 宏冶²、小椋 厚志¹ (1.明治大理工, 2.産総研GNC, 3.学振特別研究員DC)

キーワード：SiGe、歪、液浸ラマン分光法