11:00 〜 11:15
[11a-B1-10] PSD法による高In組成InGaN結晶成長と太陽電池の作製
キーワード：窒化物半導体
講演情報
一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶
[11a-B1-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶
2015年3月11日(水) 08:30 〜 11:45 B1 (6B-101)
一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶
2015年3月11日(水) 08:30 〜 11:45 B1 (6B-101)
11:00 〜 11:15
キーワード：窒化物半導体