[11a-B1-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-B1-2] MBE法で作製したScN薄膜のⅢ/Ⅴフラックス比依存性

〇大垣 武¹、坂口 勲¹、大橋 直樹¹、羽田 肇¹ (1.物材機構)

キーワード：窒化スカンジウム、薄膜、分子線エピタキシー