2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-B1-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年3月11日(水) 08:30 〜 11:45 B1 (6B-101)

09:00 〜 09:15

[11a-B1-3] RF-MBE法で作製したSm添加GaN薄膜の構造・光学的特性の評価

〇(M1)出原 健太郎1、長谷川 繁彦1 (1.阪大産研)

キーワード:磁性半導体、窒化ガリウム、サマリウム